Çinli Bilim İnsanları USB’den Milyon Kat Hızlı Bellek Geliştirdi
Çin’in Şanghay kentinde bulunan Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, yarı iletken teknolojilerinde çığır açan bir başarıya imza attı. Geliştirilen yeni nesil bir flash bellek cihazı, 400 pikosaniye gibi rekor seviyede erişim hızına ulaştı. Bu hız, saniyede 25 milyar işlem anlamına geliyor. Ekip, bu çığır açan teknolojiyi “PoX” adıyla duyurdu. Bu cihaz, şimdiye kadar bilinen en hızlı yarı iletken şarj depolama aygıtı olarak kayıtlara geçti.
Mevcut USB Belleklerden Milyon Kat Daha Hızlı
PoX adlı yeni nesil bellek, sıradan bir USB flash belleğe göre milyon kat daha hızlı çalışıyor. Çalışmayı yöneten bilim insanı Zhou Peng, “Bu cihaz bir göz kırpma süresinde 1 milyar kez çalışabilirken bir USB sadece 1.000 kez çalışabiliyor” dedi. Daha önce benzer teknolojilerde ulaşılan en yüksek hız 2 milyon işlemle sınırlıydı. Fakat araştırmada hangi USB belleğin kıyaslama olarak alındığı bilgisi paylaşılmadı. Bu da karşılaştırmanın genel anlamda yapıldığını gösteriyor.
Veriler, güç kesintisinde bile silinmeyen kalıcı bellekler kategorisinde yer alan flash bellekler, düşük enerji tüketimi nedeniyle tercih ediliyor. Ancak bu bellek türleri, veri erişim hızında dinamik (DRAM) ve statik (SRAM) rastgele erişimli belleklere göre oldukça yavaş. DRAM ve SRAM gibi geçici belleklerse elektrik kesildiğinde tüm veriyi kaybediyor. Bu durum, düşük enerjili senaryolarda onları yetersiz kılıyor.
Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, bu teknoloji boşluğunu kapatmayı başardı. Ekip, iki boyutlu Dirac bant yapısı ve balistik taşıma özelliklerine dayalı yeni bir fiziksel bellek mekanizması geliştirdi. Kanalın iki boyutlu yapısı üzerinden yüklerin belleğin depolama katmanına süper enjeksiyonla aktarılması sağlandı.
Projenin önemli isimlerinden Liu Chunsen, “Geleneksel enjeksiyon yöntemlerinin bir hız sınırı vardır. Süper enjeksiyon ise bu sınırı ortadan kaldırıyor. Geliştirdiğimiz iki boyutlu süper enjeksiyon mekanizması, kalıcı belleğin hızını teorik sınırına kadar taşıdı” ifadelerini kullandı. Bu yeni teknoloji, mevcut bellek türlerinin performans sınırlarını tamamen yeniden tanımlıyor. Üstelik erişim hızıyla yalnızca bilimsel başarı değil, endüstriyel kullanım açısından da önemli bir potansiyel taşıyor.
Bu yenilik, özellikle büyük ölçekli yapay zekâ modellerinin işlem gücünü desteklemek adına büyük önem taşıyor. Yüksek hızının yanı sıra flash belleklerin uygun maliyetli ve ölçeklenebilir yapısı, teknolojinin sanayi ve tüketici uygulamaları açısından güçlü bir zemin oluşturmasını sağlıyor. Çalışmayı yöneten Zhou Peng, bu gelişmenin sadece teknolojik değil, ekonomik ve stratejik açıdan da büyük etkileri olacağını belirtti.