Intel’in 18A Teknolojisi Sahneye Çıktı: Çip Sektöründe Dengeler Değişebilir
Intel, yeni nesil 18A üretim süreciyle büyük bir teknolojik atılım yaptı. Şirket, yüzde 30 yoğunluk artışı ve yüzde 25 performans kazancı sunan 18A ile TSMC’nin 2nm sürecine doğrudan rakip oluyor.
Intel PowerVia Teknolojisiyle Verimliliği Artırıyor
Intel, VLSI 2025 sempozyumunda yayımladığı teknik çalışmayla 18A (1.8 nm sınıfı) üretim teknolojisinin tüm detaylarını açıkladı. Bu yeni süreç, Intel 3 teknolojisine kıyasla yüzde 25’e varan performans artışı, yüzde 36’ya varan enerji tasarrufu ve yüzde 30 yoğunluk artışı sağlıyor. 18A, hem istemci sistemlerde hem de veri merkezi çözümlerinde kullanılabilecek şekilde geliştirildi.
Şirket, bu süreci kullanacak ilk ürünün Panther Lake işlemcisi olacağını duyurdu. Intel, yaptığı karşılaştırmalarda tipik bir Arm çekirdeği üzerinden, 1.1V altında yüzde 36 daha az enerji tüketimi ve 0.75V voltajda bile yüzde 18 hız artışı elde edildiğini belirtti.
18A sürecinin en dikkat çeken yeniliklerinden biri, PowerVia adını taşıyan arka taraf güç iletim ağı oldu. Bu yapı, güç iletim yollarını yonganın arkasına taşıyarak sinyal ve güç hatlarını fiziksel olarak ayırıyor. Bu sayede hem sinyal karışmaları azalıyor hem de transistör yoğunluğu artıyor. Intel, PowerVia sayesinde yoğunlukta yüzde 8 ila 10 arası artış sağlandığını bildirdi.
Öte yandan, ön yüz metal katmanlarında RC (direnç-kapasitans) performansında yüzde 12 iyileşme ve via dirençlerinde yüzde 24 ila 49 oranında azalma elde edildi. Intel, PowerVia’nın dayanıklılığını da test etti. 110°C sıcaklık ve yüzde 85 nem koşullarında 275 saat boyunca yapılan dayanıklılık testlerinde herhangi bir bozulma gözlenmedi. Ayrıca, SRAM yapıları 1.000 saat süren yaşlandırma testinde performansını korudu.
Intel, SRAM hücre yoğunluğunu da ciddi oranda artırdı. Yeni süreç, 31.8 Mb/mm² yoğunluğa sahip hücrelerle geliyor. Bu değer, Intel 4 teknolojisindeki 26.6 Mb/mm² seviyesine göre büyük bir sıçrama anlamına geliyor. TSMC’nin 2nm süreci bu alanda 38 Mb/mm² ile daha yüksek bir değer sunsa da Intel, 18A ile rekabetin içinde kalmayı sürdürüyor.
18A süreci, ikinci nesil RibbonFET transistör mimarisiyle geliştirildi. GAA (Gate-All-Around) teknolojisi sayesinde performans artarken, enerji verimliliği de sağlanıyor. Intel, bu süreçte EUV maskeleme sayısını azaltarak üretim sürecini sadeleştirdiğini belirtiyor. Aynı zamanda, düşük dirençli ve yüksek ısıl iletkenliğe sahip arka metal yapılar sayesinde yüksek ısı yoğunluğu daha verimli dağıtılıyor.
Bu gelişmeler, Intel’in Foveros 3D ve EMIB gibi ileri paketleme teknolojileriyle 18A’nın tam uyumlu olduğunu da ortaya koyuyor.
