Intel High-NA EUV Teknolojisini Seri Üretime Taşıyarak Çip Üretiminde Yeni Bir Eşiği Aştı
Intel, ASML’nin yeni nesil High-NA EUV litografi sistemini kullanarak yüksek hacimli çip üretimine geçen ilk yarı iletken üreticisi oldu. Şirket, Oregon’daki Intel Foundry tesislerinde Intel 18A üretim sürecinin belirli katmanlarını bu teknolojiyle üretmeye başladı. Gelişme, gelecek nesil Panther Lake işlemcilerinin üretiminde daha hassas üretim tekniklerinin devreye alındığını gösterirken Intel’in sonraki üretim süreçleri için de önemli bir referans oluşturdu.
High-NA EUV Teknolojisi Üretim Sürecinde Yeni Bir Aşamaya Geçti
ASML, Oregon eyaletindeki Intel Foundry tesislerinde yürütülen üretimin ticari ölçekte devam ettiğini doğruladı. Intel, Intel 18A üretim teknolojisinde yalnızca kritik katmanları High-NA EUV sistemiyle işlerken diğer katmanlarda mevcut EUV altyapısını kullanmayı sürdürüyor. Şirket, böylece yeni teknolojiyi üretim hattına kontrollü şekilde entegre ederek verimliliği korumayı hedefliyor.
High-NA EUV teknolojisi, Panther Lake kod adlı Core Ultra Series 3 işlemcilerinin belirli üretim aşamalarında görev alıyor. İşlemcilerin tamamı bu sistemle üretilmese de kritik katmanlarda sağlanan daha yüksek çözünürlük, sonraki üretim adımlarının doğruluğunu artırıyor. Intel, yeni sistemi seri üretimde kullanan ilk üretici konumuna yükseldi.
ASML’nin geliştirdiği High-NA EUV sistemi, klasik EUV platformlarında kullanılan 13,5 nanometre dalga boyunu koruyor. Sistemin en büyük farkını ise sayısal açıklık (Numerical Aperture – NA) değerinin 0.33 seviyesinden 0.55’e çıkarılması oluşturuyor. Artan optik çözünürlük sayesinde çok daha ince devre desenleri tek pozlamada oluşturulabiliyor.
Yarı iletken üretiminde daha yüksek NA değeri, çoklu desenleme ihtiyacını azaltırken hizalama doğruluğunu da yükseltiyor. Böylece üretim adımları sadeleşirken hata riski düşüyor. Daha küçük transistörlerin aynı çip alanına yerleştirilebilmesi ise gelecekte daha yüksek performansla birlikte daha iyi enerji verimliliği sunabilecek işlemcilerin geliştirilmesine katkı sağlıyor.
Intel ile ASML tarafından kullanılan katmanlar, mevcut 0.33 NA NXE EUV sistemleriyle aynı verim seviyesine ulaştı. Aynı tasarımın hem NXE hem de 0.55 NA EXE platformlarında üretilebilmesi sayesinde iki farklı üretim hattından çıkan wafer’lar birbirinin yerine kullanılabiliyor. Bu yaklaşım, üretim planlamasında önemli bir esneklik sağlıyor.
Intel, 2024 yılında Oregon’daki Hillsboro tesisine sektörün ilk ticari TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV sistemlerinden birini kurmuştu. Yaklaşık 400 milyon dolar değerindeki ekipman, standart EUV makinelerine kıyasla yaklaşık iki kat daha yüksek maliyetle satılıyor. Şirket, daha sonra daha yüksek wafer kapasitesiyle gelişmiş hizalama doğruluğu sunan TWINSCAN EXE:5200B platformunu da kalifiye eden ilk üretici oldu.
Intel Foundry Başkan Yardımcısı Naga Chandrasekaran, High-NA EUV’nin Intel 18A üretim sürecindeki kritik katmanlarda mevcut ekipmanlardan daha yüksek verim alınmasına katkı sunduğunu açıkladı. Intel’in yayımladığı yol haritasına göre şirket, sonraki nesil Intel 14A üretim teknolojisinde High-NA EUV kullanım alanını daha fazla katmana yaymayı planlıyor.
ASML CEO’su Christophe Fouquet, yeni litografi teknolojisinin daha yoğun devre tasarımlarını desteklediğini belirterek özellikle yapay zekâ hızlandırıcıları ile yüksek performanslı işlemciler için önemli bir üretim avantajı oluşturacağını ifade etti. Artan transistör yoğunluğu, aynı silikon alanında daha fazla hesaplama biriminin konumlandırılmasına yardımcı oluyor.
Türkiye’deki teknoloji şirketleri, veri merkezi yatırımları yapan kurumlar ile yapay zekâ altyapılarını büyüten işletmeler de bu dönüşümün dolaylı etkilerini önümüzdeki yıllarda görebilir. Intel, ASML, Intel Foundry, Intel 18A, Panther Lake, Core Ultra Series 3, TWINSCAN EXE:5000, TWINSCAN EXE:5200B, Oregon ve Hillsboro ekseninde ilerleyen bu üretim stratejisi, yarı iletken sektöründe yeni nesil üretim standartlarının şekillenmesine yön verecek gelişmeler arasında değerlendiriliyor.
