Intel Power Boost Teknolojisi İlk Kez 18A-P ile Geliyor
Intel, VLSI 2026'da tanıttığı 18A-P üretim teknolojisiyle yüzde 9 daha yüksek performans, daha düşük güç tüketimi ve yeni Power Boost mimarisini duyurdu.

Intel, yarı iletken üretim teknolojilerindeki rekabeti güçlendirecek yeni nesil Intel 18A-P sürecinin teknik ayrıntılarını paylaştı. VLSI 2026 kapsamında tanıtılan Intel 18A-P, yalnızca daha yüksek performans sunan bir üretim düğümü olmanın ötesine geçerek transistör yapısından güç dağıtımına kadar birçok kritik bileşeni yeniden şekillendiriyor. Şirket, yeni teknolojinin ilk ticari kullanım alanlarından birinin gelecek nesil sunucu işlemcileri olacağını da doğruladı.
Yeni Mimari Aynı Enerjiyle Daha Fazla Performans Sunuyor
Intel’in açıkladığı verilere göre Intel 18A üretim süreci üzerine geliştirilen yeni platform, aynı güç tüketiminde yüzde 9 daha yüksek işlem performansı sağlayabiliyor. Performans seviyesinin korunması tercih edildiğinde ise enerji tüketimi yaklaşık yüzde 18 azalıyor. Şirket, bu sonuçların standart ARM çekirdek blokları üzerinde gerçekleştirilen mühendislik ölçümlerinden elde edildiğini belirtiyor.

Yeni sürecin merkezinde yer alan Intel Power Boost teknolojisi ise en dikkat çekici yeniliklerden biri olarak öne çıkıyor. Çift temaslı transistör yapısını temel alan bu mimari, aynı silikon alanı içerisinde daha yüksek akım aktarımına izin vererek işlemcilerin daha yüksek frekanslarda çalışmasını destekliyor. Intel, bu tasarımın sektörde ilk kez ticari üretime taşındığını ifade ediyor.
Intel, yeni üretim teknolojisinde Gate-All-Around transistör mimarisini korurken PowerVia güç dağıtım sistemini daha ileri seviyeye taşıyor. Güç hatlarının yonganın arka yüzüne aktarılması sayesinde ön katmandaki bağlantı yoğunluğu azalıyor. Intel PowerVia yaklaşımı, yalnızca sinyal yollarını kısaltmıyor aynı zamanda yonga üzerinde yüzde 11’e kadar alan tasarrufu sağlayabiliyor.

Şirketin paylaştığı teknik veriler, termal tarafta da önemli gelişmeler yaşandığını gösteriyor. Yeni malzeme optimizasyonları sayesinde termal direnç yüzde 20 ila 40 arasında iyileştirilirken katmanlar arası bağlantılarda kullanılan via yapılarının elektriksel direnci de yüzde 10 ila 30 oranında düşürülmüş durumda. Ayrıca geliştirilen yeni transistör seçenekleri, düşük güç tüketimi ile yüksek performans arasında daha esnek tasarım tercihleri yapılmasına olanak tanıyor.
👉️ İlginizi Çekebilir: Intel, 288 Çekirdekli Yeni Xeon 6+ İşlemcilerini Duyurdu
Intel, Computex 2026 etkinliğinde tanıttığı Intel Xeon Diamond Rapids işlemci ailesinin Intel 18A-P üretim teknolojisiyle üretileceğini de resmen doğruladı. Risk üretim sürecine geçen yeni düğüm, Intel Foundry’nin dış müşterilere sunacağı en gelişmiş üretim teknolojilerinden biri olacak.
Şirket aynı etkinlikte yalnızca 18A-P’yi değil geleceğe yönelik farklı araştırmalarını da sergiledi. 300 mm GaN tabanlı güç çözümleri, 45 nanometre kapı aralığına sahip CFET yapıları ve hava boşluklu rutenyum bağlantıları Intel’in gelecek yıllara yönelik üretim planlarının önemli parçaları arasında yer aldı. Tüm bu çalışmalar, Intel’in yalnızca işlemci geliştiren bir şirket olmanın ötesinde küresel dökümhane pazarındaki konumunu güçlendirmeyi hedeflediğini gösteriyor.
✍️ Editörün Notu İçin Tıklayın
Intel, 18A-P ile yalnızca daha küçük üretim geometrisine geçmiyor. Şirket aynı zamanda transistör mimarisi, güç dağıtımı ve termal tasarım tarafında da kapsamlı iyileştirmeler sunuyor. Özellikle Power Boost ve PowerVia teknolojilerinin birlikte kullanılması, yeni nesil sunucu işlemcilerinin daha yüksek frekanslara daha verimli şekilde ulaşmasını sağlayabilir. Intel’in dökümhane tarafındaki rekabet gücünü artırması açısından 18A-P süreci önümüzdeki yılların en kritik teknolojilerinden biri olarak görülüyor.








